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行业新闻
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美国实验室研发新型激光技术,有望大幅提升芯片制造效率
美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)正在研发一种基于铥元素的拍瓦(petawatt)级激光技术,该技术有望取代当前极紫外光刻(EUV)工具中使用的二氧化碳激光器,并将光源效率提升约十倍。这一突破可能为新一代“超越EUV”的光刻系统铺平
发布时间:2025-01-07 点击次数:15
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