杭州海莱电子科技有限公司

新闻资讯

联系我们

杭州海莱电子科技有限公司

地址:浙江省杭州市滨江区南环路3760号保亿创艺大厦1301

电话:13115710854微信同号

网址:www.openfpga.cn


长鑫存储拟在北京建设第二座DRAM工厂!

您的当前位置: 首 页 >> 新闻动态 >> 行业新闻

长鑫存储拟在北京建设第二座DRAM工厂!

发布日期:2026-08-11 17:18 来源:http://www.openfpga.cn 点击:

长鑫存储此时加速扩产,背后是全球AI基础设施投资引发的存储芯片紧缺。

据路透社最新报道,中国DRAM龙头长鑫存储(CXMT)正考虑在北京经济技术开发区(亦庄)建设第二座存储芯片工厂,并已与地方政府支持的科技制造平台展开早期融资洽谈。在全球人工智能基础设施投资驱动芯片紧缺的背景下,这家刚刚完成86亿美元IPO的中国最大芯片制造商,正以超出市场预期的速度推进产能扩张。

据知情人士透露,新规划的12英寸晶圆厂将选址亦庄——即长鑫存储现有北京DRAM晶圆厂所在地,距北京市中心东南约20公里。公司正在与北京经开区管理机构洽谈,同时多家国有科技企业也表示出参与融资的兴趣。

消息人士强调,谈判尚处早期阶段,融资方案的规模与结构均可能变化,资金究竟由经开区行政机构直接出资还是通过其投资工具注入,目前仍未确定。长鑫存储与北京市政府均未回应置评请求。

筹划远期60万片月产能蓝图

长鑫存储目前的产能版图已经颇具规模。知情人士称,公司在合肥运营着两座12英寸DRAM晶圆厂,在北京亦庄运营一座,每座工厂月产能约为10万片晶圆,合计约30万片。

根据长鑫科技(688825.SH)公开的扩产路线图:2026年底月产能预计提升至约35万片,接近美光同期38.5万片的预估产能;2027年随着上海临港新厂建设推进,月产能目标约42万片;2028年底冲击月产50万片目标,全球DRAM产能占比有望提升至17%左右;远期目标实现每月60万片晶圆产能,按当前节奏有望在2030年前后整体规模超过美光科技。

路透社此前报道,长鑫存储正在上海和合肥建设新工厂,并与其他地区的有关部门就另一处厂址进行磋商。这些项目全面投产后,其产能有望翻番,达到每月60万片以上。北京亦庄第二座的谋划,正是这张全国产能大网中的最新一块拼图。

“合肥模式”走向全国

长鑫存储的扩产底气,来自于7月完成的史诗级IPO。

根据公开披露,长鑫存储首次公开发行股票并在科创板上市(IPO)的实际募资规模最终达到约579.2亿元人民币(约合86亿美元),超越了最初拟募资的295亿元人民币计划。该项目于2026年7月16日启动申购,并于2026年7月27日正式在上海证券交易所科创板挂牌上市,成为2026年亚洲及A股市场规模最大的IPO之一。

募集资金主要投向三大项目:存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目(75亿元)、DRAM存储器技术升级项目(180亿元)、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目(90亿元),项目总投资额达345亿元。

上市之后,长鑫科技股价已上涨13%,截至8月3日收盘总市值达到约3.68万亿元。

长鑫存储的崛起与“合肥模式”密切相关——在这种模式下,安徽省合肥市利用国家资金培育战略科技公司。据直接了解情况的消息人士透露,北京和上海也向长鑫存储提供了资金和其他支持,因为两市都希望在公司的扩张中获得更大的经济与战略利益份额。

工商信息显示,长鑫存储位于北京的晶圆厂由长鑫集电(即长鑫吉电)运营,该公司成立于2020年,获得了亦庄开发区国资投资机构亦庄资本及其附属公司北京亦庄科技的资金支持。7月30日,长鑫存储技术有限公司再次完成工商变更,注册资本由约238.9亿元增至约313.9亿元,单次增资75亿元,增幅约31%——时间卡在IPO后仅三天,被视为上市募资迅速下沉到制造实体的明确信号。

全球DRAM“铁三角”格局松动

长鑫存储此时加速扩产,背后是全球AI基础设施投资引发的存储芯片紧缺。

Counterpoint Research数据显示,三星电子、SK海力士、美光三大巨头第一季度合计占据全球DRAM市场近90%的份额。长鑫存储虽已是全球第四大DRAM生产商,但规模仍远小于这三家头部企业。

AI大模型的训练与推理需要海量高带宽内存(HBM),供需失衡之下,存储价格持续走高。据路透社7月报道,在中国市场,长鑫存储日益增长的主导地位使其能够提高对其客户的价格。市场消息显示,长鑫存储已与腾讯签署价值超200亿元、与字节跳动签署五年超70亿美元的长期供应协议,现有产能“十分吃紧”,公司当前重心优先保障本土供应。

在高端产品线上,长鑫科技已实现HBM2量产,并计划调整合肥和北京产线的部分产能,形成每月6万片的HBM晶圆产能;上海超级工厂已于2026年3月启动建设,主攻HBM3等高端内存产品,配套HBM封测厂预计2026年底投产。LPDDR6产品也已接近研发验证尾声,有望2026年下半年发布并实现量产导入。

行业分析人士指出,更值得资本市场关注的是扩产周期的持续性:如果北京、上海及合肥等地的扩产项目陆续落地,国内DRAM产业链的设备、材料、零部件及厂务工程需求,都将获得新的增长空间。一座尖端DRAM晶圆厂通常耗资超100亿美元,对应的资本开支周期可能长达数年。


相关标签:长鑫存储,存储芯片,DRAM,AI

在线客服
分享