4 月 28 日消息，三星半导体日前宣布量产第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品，位密度（bit density）比上一代产品提高约 50%，通过通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产效率。普及 100TB SSD，消息称三星明年推出第 10 代 NAND：三重堆叠技术，最高 430 层第九代 V-NAND 采用双重堆叠技术，在旗舰 V8 闪存的 236 层基础上，再次达到了 290 层，主要面向大型企业服务器以及人工智能和云设备。而业内消息称三星计划明年推出

4 月 28 日消息，据德媒 heise online 报道，德国慕尼黑地区法院本月早些时候作出一审判决，认定三星电子在生产的移动通信设备中侵犯了由大唐拥有的 4G 标准必要zhuanli。

本次诉讼涉及手机在不同 TDD 蜂窝小区间无缝切换以保证持续连接的zhuanli技术。大唐于 2021 年 8 月 20 日从中国信通院处获得该zhuanli在德zhuanli权。

判决书显示，三星需就自 2021 年 8 月 20 日起在德国销售的几乎所有（因为基本都支持 4G 网络）智能手机支付固定赔偿；目前市场上流通的所有相关型号也需要被销毁。

该判决还不具有完整的法律效力，大唐目前没有选择在缴纳至少 250 万欧元的保证金的前提下临时强制执行。

在一审诉讼中三星和大唐双方就什么是标准必要zhuanli授权中的 FRAND（IT之家注：公平、合理且不带歧视性的条款）原则存在很大争议。

三星认为大唐没有按照这一原则给出恰当的授权协议，提出了抗辩，但这一诉讼申请以失败告终。

此外三星在审理过程对案件关联的zhuanli提出了无效诉讼，但慕尼黑地区法院拒绝因无效诉讼暂停侵权诉讼。

三星发言人称：“三星将彻底审查法院判决，并确定适当的法律行动，包括可能的上诉。我们计划根据法院判决采取措施，确保我们的客户及其用户体验不受判决影响。”